本文要說的話題與IGBT有關(guān)，如下圖：
在文章《一文認(rèn)識(shí)變頻器的IGBT(逆變模塊)》中提過IGBT是晶體管與mos管的結(jié)合體，晶體管負(fù)責(zé)高電壓與大電流，而mos管控制晶體管的開通與關(guān)斷，看上面這張圖，再形象不過！
IGBT的導(dǎo)通與關(guān)斷是由G極和E極之間的電壓UGE決定，當(dāng)UGE大于開啟電壓Uo時(shí)，mos管內(nèi)形成導(dǎo)電溝道，其漏源電流作為晶體管的基極電流，IGBT導(dǎo)通。當(dāng)G極與E極之間不加信號(hào)或施加反向電壓時(shí)，mos內(nèi)的導(dǎo)電溝道消失，晶體管基極電流被切斷，IGBT即關(guān)斷。
透過其工作原理不難看出，當(dāng)IGBT出現(xiàn)炸管時(shí)，其驅(qū)動(dòng)電路勢必也會(huì)受到波及，所以，再對IGBT更換完畢以后，勢必要對驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行檢測，若強(qiáng)行上電試機(jī)的話，很有可能再次炸掉。
IGBT驅(qū)動(dòng)電路大題如下：
當(dāng)輸入電壓UI為“+”時(shí)，VT1導(dǎo)通，VT2截止，電流從正向驅(qū)動(dòng)電源通過柵極電阻RG流向柵極，RG電阻通常為100左右，此時(shí)，UGE電壓約為+15V，IGBT飽和導(dǎo)通。
當(dāng)輸入電壓UI為“-”時(shí)，VT1截止，VT2導(dǎo)通，電流從IGBT的柵極通過柵極電阻RG流向反向偏置電源，柵極上得到負(fù)的偏置電壓-UGE(-5～-10V)，此時(shí)，IGBT將截止。
在IGBT驅(qū)動(dòng)電路中，比較流行的還是帶走光耦隔離的驅(qū)動(dòng)電路，因?yàn)椋芷鸬綇?qiáng)電隔離的作用，尤其是在IGBT炸管時(shí)，不至于導(dǎo)致前段電路受到影響。如下圖：
當(dāng)有信號(hào)UI輸入時(shí)，光耦晶體管導(dǎo)通，A點(diǎn)為低電位，晶體管VT1沒有基極電流而截止，B點(diǎn)為高電位，晶體管VT3截止而VT2導(dǎo)通，IGBT的柵極通過VT2而得到正向驅(qū)動(dòng)電壓，IGBT將飽和導(dǎo)通。
當(dāng)沒有輸入信號(hào)UI輸入時(shí)，光耦晶體管截止，A點(diǎn)為高電位，晶體管VT1得到基極電流而導(dǎo)通，B點(diǎn)為低電位，晶體管VT2截止而VT3導(dǎo)通，IGBT的柵極G通過VT3而得到反向偏置電壓，IGBT截止。
通過以上，不難看出，要判斷一路IGBT驅(qū)動(dòng)是否正常，要滿足兩個(gè)條件，一是信號(hào)電壓UI的有無，而這個(gè)UI是由CPU發(fā)出的，可模擬獲取。再者是IGBT的正反向電壓是否可以正常獲取，可通過示波器獲取。以上步驟，均為模擬獲取，在變頻器上電前完成。
前段時(shí)間，就有一臺(tái)變頻器試機(jī)缺相，經(jīng)歷過炸機(jī)，檢測發(fā)現(xiàn)，該路驅(qū)動(dòng)光耦直接沒電，查來查去最終到了開關(guān)電源上。
不同廠家的變頻器IGBT驅(qū)動(dòng)電路不同，但實(shí)現(xiàn)原理基本是相通的，希望能提供些許借鑒。
作者：電氣星辰
